台积电与阳明交通大学团队日前成功研发出高性能的单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，此项技术有助于突破摩尔定律的极限，为“后硅”时代的到来带来了全新契机。相关研究成果已发表于学术期刊《自然-电子学》。
在半导体技术不断演进的过程中，要想在制程技术迈入1纳米以下时继续提升性能，寻找新材料已成为必然选择。二硫化钼（MoS2）不仅被广泛认可为一种新型的二维半导体材料，WhatsApp网页版而且预计将在约0.7纳米（A7制程）和CFET（互补场效应晶体管）时代正式投入使用。
多家半导体设备巨头，包括应用材料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International 和泛林集团（Lam Research），均在积极研发与二硫化钼相关的新设备与技术。这些企业的投入将进一步推动高性能半导体芯片的生产。
随着对更快运算速度和更低功耗的半导体芯片需求日益增加，传统的硅基半导体技术逐渐达到物理极限，全球科学家积极探索下一代半导体材料。二维半导体因其仅有原子级厚度，被认为是延续摩尔定律和推动芯片性能提升的重要突破口。
为了获取更多关于研究成果的信息，请访问论文链接：《自然-电子学》。
文章来源：https://tech.sina.com.cn/digi/2026-08-07/doc-inimnent3216291.shtml
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